文章来源 Macnica Engineer

英飞凌汽车级 CoolMOS™ CFD7A

CoolMOS™ CFD7A 简介

CoolMOS™ CFD7A 兼容最高 475V DC 系统电压。按照开尔文源极,它可达到更高的效率水平,效率高达 98.4%。凭借其固有的快速体二极管和采用 TO 和 SMD 封装的丰富产品系列,CFD7A 器件非常适用于 PFC 和 DC-DC 级。

 

该产品系列支持较低栅极损耗以达到更高的开关频率,实现更高功率密度,确保设计上更紧凑。此外,这种新型 CoolMOS™ 技术平台经过量身定制,能满足恶劣的汽车应用环境需求,尤其是在宇宙辐射和设计鲁棒性方面。宇宙辐射问题从开发过程一开始就得以应对,并得到了实验结果的证明。

CoolMOS™ CFD7A 特性

  • SMT 封装、THT 封装
  • 最大工作温度:TjMax=150°C
  • RDS(on):22mΩ - 230mΩ
  • 硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
  • 远超 AEC-Q101 标准的卓越品质
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图1 CoolMOS™ CFD7A 特性

什么是 CoolMOS™ MOSFET CFD7A?

CoolMOS™ MOSFET CFD7A 可将效率提升到更高水平,改善了硬开关和谐振开关的拓扑结构,尤其是在轻负荷条件下具有较大改进,令效率更上一层楼。与之前几代产品相比,CFD7A 器件在相同栅极损耗的水平下可实现更高的开关频率;此组合极具前景,是 CFD7A 能够减轻系统重量、占用更少空间、实现更紧凑设计的关键因素。

CoolMOS™ CFD7A 封装规格

RDS(on)TO-247-3TO-2203TO-263-3TO-263-7
35mΩIPW65R035CFD7A///
50mΩIPW65R050CFD7AIPP65R050CFD7AIPB65R050CFD7AIPBE65R050CFD7A
75mΩIPW65R075CFD7A//IPBE65R075CFD7A
99mΩIPW65R099CFD7AIPP65R099CFD7AIPB65R099CFD7AIPBE65R099CFD7A
115mΩIPW65R115CFD7AIPP65R115CFD7AIPB65R115CFD7AIPBE65R115CFD7A
230mΩ//IPBE65R230CFD7AIPBE65R230CFD7A

目标应用

  • 车载充电器的 DC-DC 级
  • 车载充电器的 PFC 升压级
  • 硬开关拓扑 (带 SiC 二极管) 
  • HV-LV DC-DC 转换器
  • LLC 或移相全桥 (ZVS)
  • 辅助电源

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