19 March 2026

Microchip推出全新BZPACK mSiC®動力模組,專為惡劣環境下高需求應用設計

採用Microchip先進的mSiC 技術,具備MB與MC系列碳化矽MOSFET的優異性能

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出BZPACK mSiC®功率模組,專為滿足嚴苛的高濕、高電壓、高溫反偏(HV‑H3TRB)標準而設計。 BZPACK模組可提供卓越可靠性、簡化生產流程,並為最嚴苛的功率轉換應用提供豐富的系統整合方案。本模組支援多種拓樸結構,包括半橋、全橋、三相及PIM/CIB 配置,為設計人員提供最佳化效能、成本與系統架構的靈活空間。

BZPACK mSiC功率模組透過測試並滿足超過1000小時標準的HV-H3TRB標準,為工業及再生能源應用部署提供可靠保障。本模組採用相比漏電起痕指數(CTI)達600V的封裝外殼,在全溫度範圍內具備穩定的導通電阻Rds(on),並可選用氧化鋁(Al₂O₃)或氮化鋁(AlN)基板,提供出色的絕緣性能、熱管理能力與長期耐用性。

 

Microchip負責高功率解決方案業務部的副總裁Clayton Pillion表示:「BZPACK mSiC功率模組的推出,進一步彰顯Microchip致力於為最嚴苛功率轉換環境提供高可靠性和高性能解決方案的承諾。依托先進的mSiC技術,我們能夠為客戶提供一條更簡便的路徑,幫助構建其在工業和可持續發展市場。

 

為簡化生產並降低系統複雜性,BZPACK模組採用緊湊無基板設計,配備壓接式無焊接端子,並可選配預塗覆導熱介面材料(TIM)。這些靈活的配置選項可實現更快的組裝速度、更高的一致性製造品質,並透過業界標準封裝尺寸實現更便利的多貨源採購。此外,此模組採用引腳相容設計,使用更加簡便。

 

Microchip的MB與MC系列mSiC MOSFET旨在為工業和汽車應用提供高可靠性解決方案,其中部分產品通過AEC Q101車規認證。這些元件支援通用柵源電壓(VGS ≥ 15V),採用業界標準封裝,易於整合。經過驗證的HV-H3TRB能力有助於降低因潮濕引發漏電或擊穿導致的現場故障風險,確保長期可靠性。此外,MC 系列整合閘極電阻,實現更優的開關控制,保持低開關損耗,並增強多晶片模組配置穩定性。現有產品提供TO-247-4 Notch封裝及晶片(華夫盤)形式。

 

Microchip在碳化矽元件及功率解決方案的研發、設計、製造與支援方面擁有逾20年經驗,致力於協助客戶輕鬆、快速且放心地採用碳化矽技術。公司mSiC系列產品與解決方案旨在降低系統成本、加速產品上市並降低開發風險。 Microchip提供豐富且靈活的碳化矽二極體、MOSFET及閘極驅動器產品。